Биполярный транзистор 2SB1218 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1218
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 195 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO236
2SB1218 Datasheet (PDF)
2sb1218a e.pdf
Transistor2SB1218ASilicon PNP epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SD1819A2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE. 1S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment andautomatic insertion through the tape packing and the magazine3packing.2Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Paramet
2sb1218a.pdf
Transistor2SB1218ASilicon PNP epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SD1819A2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE. 1S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment andautomatic insertion through the tape packing and the magazine3packing.2Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Paramet
2sb1218a.pdf
2SB1218A -0.1A , -60V PNP Silicon Epitaxial Paner Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free APPLICATIONS SOT-323 General Purpose Amplification AL3FEATURES 3Top View C B High DC Current Gain 1 Complementary to 2SD1819A 1 22K ECLASSIFICATION OF hFE DProduct-Rank 2SB1218A-Q
2sb1218a.pdf
2SB1 21 8 ATRANSISTOR(PNP)FEATURES SOT323 High DC Current Gain Complementary to 2SD1819A APPLICATIONS General Purpose Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage -45 V CBO3. COLLECTOR VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V V Emitter-Base Voltage -7 V EBOI
2sb1218a.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1218A Features High DC Current Gain Complementary to 2SD1819A1 Base2 Emitter3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -45 Collector - Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter - Base Voltage VEBO -7 Collector Current - Continuous IC -100 mA Collector Power D
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050