2SB731 Todos los transistores

 

2SB731 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB731
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB731 Datasheet (PDF)

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2SB731

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2SB731

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB731DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector to Emitter Saturation Voltage: V = -0.6V(Max.)@I = -1ACE(sat) CDC Current Gain-: h = 135-600@I = -0.1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned fo

 9.1. Size:166K  nec
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History: 2N5057 | UN411F | 2SB270 | BD355C | BC856AW | 2SD1076 | DCX124EK

 

 
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