2SB731 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SB731 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB731 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SB731

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SB731 даташит

..1. Size:39K no
2sb731.pdf pdf_icon

..2. Size:187K inchange semiconductor
2sb731.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB731 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector to Emitter Saturation Voltage V = -0.6V(Max.)@I = -1A CE(sat) C DC Current Gain- h = 135-600@I = -0.1A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed fo

9.1. Size:166K nec
2sb734.pdf pdf_icon