2SB897 Todos los transistores

 

2SB897 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB897
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SB897 datasheet

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2SB897

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB897 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = -10A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.) @I = 10A CE(sat) C Complement to Type 2SD1210 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed high ... See More ⇒

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2SB897

Ordering number 1023C PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB893 Large-Current Driving Applications Applications Package Dimensions Power supplies, relay drivers, lamp drivers, strobes. unit mm 2003A Features [2SB893] Low saturation voltage VCE(sat) 0.45V (IC= 1.5A, IB= 0.15A). Large current capacity and wide ASO IC max= 2.5A. JEDEC TO-92 B Base ... See More ⇒

Otros transistores... 2SB893D , 2SB893E , 2SB893G , 2SB894 , 2SB895 , 2SB895A , 2SB896 , 2SB896A , 2N5551 , 2SB898 , 2SB899 , 2SB89A , 2SB89AH , 2SB89H , 2SB90 , 2SB900 , 2SB901 .

History: BC369-10

 

 
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