2SB897 Todos los transistores

 

2SB897 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB897
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB897

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB897 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb897.pdf pdf_icon

2SB897

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB897DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.) @I = 10ACE(sat) CComplement to Type 2SD1210Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier and lowspeed high

 9.1. Size:86K  1
2sb895 2sb895a.pdf pdf_icon

2SB897

 9.2. Size:81K  1
2sb894.pdf pdf_icon

2SB897

 9.3. Size:77K  sanyo
2sb893.pdf pdf_icon

2SB897

Ordering number:1023CPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB893Large-Current Driving ApplicationsApplications Package Dimensions Power supplies, relay drivers, lamp drivers, strobes. unit:mm2003AFeatures [2SB893] Low saturation voltage : VCE(sat)0.45V (IC=1.5A, IB=0.15A). Large current capacity and wide ASO : IC max=2.5A.JEDEC : TO-92 B : Base

Otros transistores... 2SB893D , 2SB893E , 2SB893G , 2SB894 , 2SB895 , 2SB895A , 2SB896 , 2SB896A , AC125 , 2SB898 , 2SB899 , 2SB89A , 2SB89AH , 2SB89H , 2SB90 , 2SB900 , 2SB901 .

History: KRA160F | CHDTB123EKGP | BUV63

 

 
Back to Top

 


 
.