2SB897 - описание и поиск аналогов

 

2SB897 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB897
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB897

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB897 - технические параметры

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb897.pdfpdf_icon

2SB897

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB897 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = -10A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.) @I = 10A CE(sat) C Complement to Type 2SD1210 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed high

 9.1. Size:86K  1
2sb895 2sb895a.pdfpdf_icon

2SB897

 9.2. Size:81K  1
2sb894.pdfpdf_icon

2SB897

 9.3. Size:77K  sanyo
2sb893.pdfpdf_icon

2SB897

Ordering number 1023C PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB893 Large-Current Driving Applications Applications Package Dimensions Power supplies, relay drivers, lamp drivers, strobes. unit mm 2003A Features [2SB893] Low saturation voltage VCE(sat) 0.45V (IC= 1.5A, IB= 0.15A). Large current capacity and wide ASO IC max= 2.5A. JEDEC TO-92 B Base

Другие транзисторы... 2SB893D , 2SB893E , 2SB893G , 2SB894 , 2SB895 , 2SB895A , 2SB896 , 2SB896A , 2N5551 , 2SB898 , 2SB899 , 2SB89A , 2SB89AH , 2SB89H , 2SB90 , 2SB900 , 2SB901 .

 

 
Back to Top

 


 
.