Справочник транзисторов. 2SB897

 

Биполярный транзистор 2SB897 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB897
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB897

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB897 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
2sb897.pdfpdf_icon

2SB897

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB897DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.) @I = 10ACE(sat) CComplement to Type 2SD1210Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier and lowspeed high

 9.1. Size:86K  1
2sb895 2sb895a.pdfpdf_icon

2SB897

 9.2. Size:81K  1
2sb894.pdfpdf_icon

2SB897

 9.3. Size:77K  sanyo
2sb893.pdfpdf_icon

2SB897

Ordering number:1023CPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB893Large-Current Driving ApplicationsApplications Package Dimensions Power supplies, relay drivers, lamp drivers, strobes. unit:mm2003AFeatures [2SB893] Low saturation voltage : VCE(sat)0.45V (IC=1.5A, IB=0.15A). Large current capacity and wide ASO : IC max=2.5A.JEDEC : TO-92 B : Base

Другие транзисторы... 2SB893D , 2SB893E , 2SB893G , 2SB894 , 2SB895 , 2SB895A , 2SB896 , 2SB896A , AC125 , 2SB898 , 2SB899 , 2SB89A , 2SB89AH , 2SB89H , 2SB90 , 2SB900 , 2SB901 .

History: CHDTB123EKGP | KRA160F | BUV63

 

 
Back to Top

 


 
.