2SD1070 Todos los transistores

 

2SD1070 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1070
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SPECIAL
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD1070 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  inchange semiconductor
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2SD1070

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1070DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min.)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

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History: MJ2855 | 2SA1427O | FC1404 | 2SD2051 | HSE401 | HA06 | CDB550

 

 
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