2SD1070 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1070 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SPECIAL
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de 2SD1070
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SD1070 datasheet
2sd1070.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1070 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
2sd1073.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sd1071.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
Otros transistores... 2SD1065Q, 2SD1065R, 2SD1065S, 2SD1066, 2SD1067, 2SD1068, 2SD1069, 2SD107, 8050, 2SD1071, 2SD1072, 2SD1073, 2SD1074, 2SD1075, 2SD1076, 2SD1077, 2SD1077L
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N3624 | MMUN2140LT1G | TI451 | RN2604 | 2N3842A | KT632B | KSC900G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198



