Биполярный транзистор 2SD1070 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1070
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SPECIAL
2SD1070 Datasheet (PDF)
4.1. 2sd1072.pdf 
Size:135K _fuji
4.2. 2sd1073.pdf Size:97K _fuji
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
4.3. 2sd1071.pdf Size:102K _fuji
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
4.4. 2sd1073.pdf Size:69K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1073 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·Audio power amplifiers ·Relay and solenoid drivers ·Motor controls ·General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
