2SD1070 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD1070 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1070 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SPECIAL

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD1070

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD1070 даташит

..1. Size:186K inchange semiconductor
2sd1070.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1070 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

8.1. Size:97K fuji
2sd1073.pdf pdf_icon