3N105 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N105
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Paquete / Cubierta: TO72
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3N105 Datasheet (PDF)
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BL3N105 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BL3N105, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicatio
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History: MHQ6100 | ME1002 | SGS112 | 2SA744 | BFX41 | UPT315 | S1239
History: MHQ6100 | ME1002 | SGS112 | 2SA744 | BFX41 | UPT315 | S1239



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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