3N105 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N105  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N105

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N105 даташит

 0.1. Size:659K  belling
 bl3n105-p bl3n105-a bl3n105-u bl3n105-d.pdf pdf_icon

3N105

BL3N105 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL3N105, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicatio

Другие транзисторы: 38387, 38388, 38647, 3N100, 3N101, 3N102, 3N103, 3N104, TIP31C, 3N106, 3N107, 3N108, 3N109, 3N110, 3N111, 3N112, 3N113