Справочник транзисторов. 3N105

 

Биполярный транзистор 3N105 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3N105
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3N105 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:659K  belling
 bl3n105-p bl3n105-a bl3n105-u bl3n105-d.pdf pdf_icon

3N105

BL3N105 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BL3N105, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicatio

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: S8550E | HUN5213

 

 
Back to Top

 


 
.