AM80610-030 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM80610-030  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 960 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: SO42

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AM80610-030

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM80610-030 datasheet

 4.1. Size:44K  st
 am80610-03.pdf pdf_icon

AM80610-030

AM80610-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .INPUT/OUTPUT MATCHING .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN OUT = .400 x .400 2NLFL (S042) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80610-030 80610-30 DESCRIPTION PIN CONNECTION The AM80610-030 is a high power, common base NPN

Otros transistores... AM1416-200, AM1517-012, AM1517-025, AM2729-110, AM2729-125, AM2931-110, AM2931-125, AM80610-018, 8050, AM80814-005, AM80814-025, AM80912-005, AM80912-015, AM80912-030, AM80912-085, AM81214-006, AM81214-015