Справочник транзисторов. AM80610-030

 

Биполярный транзистор AM80610-030 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: AM80610-030
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SO42

 Аналоги (замена) для AM80610-030

 

 

AM80610-030 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:44K  st
am80610-03.pdf

AM80610-030
AM80610-030

AM80610-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSUHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.INPUT/OUTPUT MATCHING.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAINOUT =.400 x .400 2NLFL (S042)hermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM80610-03080610-30DESCRIPTIONPIN CONNECTIONThe AM80610-030 is a high power, commonbase NPN

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top