AM80610-030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM80610-030  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SO42

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM80610-030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM80610-030 даташит

 4.1. Size:44K  st
 am80610-03.pdf pdf_icon

AM80610-030

AM80610-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .INPUT/OUTPUT MATCHING .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN OUT = .400 x .400 2NLFL (S042) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80610-030 80610-30 DESCRIPTION PIN CONNECTION The AM80610-030 is a high power, common base NPN

Другие транзисторы: AM1416-200, AM1517-012, AM1517-025, AM2729-110, AM2729-125, AM2931-110, AM2931-125, AM80610-018, 8050, AM80814-005, AM80814-025, AM80912-005, AM80912-015, AM80912-030, AM80912-085, AM81214-006, AM81214-015