AM80814-005 Todos los transistores

 

AM80814-005 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM80814-005
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 48 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 48 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SO64

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AM80814-005 Datasheet (PDF)

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AM80814-005

AM80814-025 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 25 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN OUT = .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80814-025 80814-25 PIN CONNECTION DESCRIPTION

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AM80814-005

AM80814-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .P 5.0 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM80814-005 80814-5 PIN CONNECTION DESCRI

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History: AM80610-018 | TIP509

 

 
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