AM80814-005 Todos los transistores

 

AM80814-005 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM80814-005
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 48 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 48 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SO64
 

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AM80814-005 Datasheet (PDF)

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AM80814-005

AM80814-025RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 25 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT = .400 x .400 2LFL (S036)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80814-025 80814-25PIN CONNECTIONDESCRIPTION

 9.2. Size:72K  st
 am808-1405.pdf pdf_icon

AM80814-005

AM80814-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.P 5.0 W MIN. WITH 8.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM80814-005 80814-5PIN CONNECTIONDESCRI

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History: 2T625BM-2 | D16K3 | LBC857BDW1T1G

 

 
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