AM80814-005 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM80814-005  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 48 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 48 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SO64

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM80814-005

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM80814-005 даташит

 9.1. Size:56K  st
 am808-14.pdf pdf_icon

AM80814-005

AM80814-025 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 25 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN OUT = .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80814-025 80814-25 PIN CONNECTION DESCRIPTION

 9.2. Size:72K  st
 am808-1405.pdf pdf_icon

AM80814-005

AM80814-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .P 5.0 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM80814-005 80814-5 PIN CONNECTION DESCRI

Другие транзисторы: AM1517-012, AM1517-025, AM2729-110, AM2729-125, AM2931-110, AM2931-125, AM80610-018, AM80610-030, BC558, AM80814-025, AM80912-005, AM80912-015, AM80912-030, AM80912-085, AM81214-006, AM81214-015, AM81214-030