AM81720-012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM81720-012
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: SO38
- Selección de transistores por parámetros
AM81720-012 Datasheet (PDF)
am81720-0.pdf

AM81720-012RF & MICROWAVE TRANSISTORSCOMMUNICATIONS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGIZED VSWR :1.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2LFL (S036)hermetically sealed.P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM81720-012 81720-12PIN CONNECTIONDE
am81719-040.pdf

AM81719-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 7 dB GAINOUT =.400 X .400 2 LFL (M228)hermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM81719-04081719-40PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe AM81719-040 is a hig
am81719.pdf

AM81719-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 SQ 2LFL (M147).P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN=OUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM81719-030 81719-030PIN CONNECTIONDESCRIPTIONTh
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: DTC114WM | 2SA1857 | BFS58P | D33J24 | BSW23 | 2SC3467D | KT8121A-2
History: DTC114WM | 2SA1857 | BFS58P | D33J24 | BSW23 | 2SC3467D | KT8121A-2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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