AM81720-012 Todos los transistores

 

AM81720-012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM81720-012
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: SO38
 

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AM81720-012 Datasheet (PDF)

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AM81720-012

AM81720-012RF & MICROWAVE TRANSISTORSCOMMUNICATIONS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGIZED VSWR :1.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2LFL (S036)hermetically sealed.P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM81720-012 81720-12PIN CONNECTIONDE

 9.1. Size:44K  st
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AM81720-012

AM81719-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 7 dB GAINOUT =.400 X .400 2 LFL (M228)hermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM81719-04081719-40PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe AM81719-040 is a hig

 9.2. Size:64K  st
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AM81720-012

AM81719-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 SQ 2LFL (M147).P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN=OUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM81719-030 81719-030PIN CONNECTIONDESCRIPTIONTh

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