Биполярный транзистор AM81720-012 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: AM81720-012
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SO38
Аналоги (замена) для AM81720-012
AM81720-012 Datasheet (PDF)
am81720-0.pdf
AM81720-012RF & MICROWAVE TRANSISTORSCOMMUNICATIONS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGIZED VSWR :1.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2LFL (S036)hermetically sealed.P 12 W MIN. WITH 7.4 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM81720-012 81720-12PIN CONNECTIONDE
am81719-040.pdf
AM81719-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 7 dB GAINOUT =.400 X .400 2 LFL (M228)hermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM81719-04081719-40PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe AM81719-040 is a hig
am81719.pdf
AM81719-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 SQ 2LFL (M147).P 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN=OUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM81719-030 81719-030PIN CONNECTIONDESCRIPTIONTh
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
