AM82223-010 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM82223-010
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 9 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: SO42
Búsqueda de reemplazo de AM82223-010
AM82223-010 Datasheet (PDF)
am82223.pdf

AM82223-010RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED. :1 VSWR CAPABILITY AT RATEDCONDITIONS.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2NLFL (S042).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM82223-010 82223-10
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History: 2SC3326B | IR645 | NJVMJB44H11T4G | 2SD2031 | C1-12
History: 2SC3326B | IR645 | NJVMJB44H11T4G | 2SD2031 | C1-12



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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