AM82223-010 Todos los transistores

 

AM82223-010 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM82223-010
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SO42
 

 Búsqueda de reemplazo de AM82223-010

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM82223-010 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:59K  st
am82223.pdf pdf_icon

AM82223-010

AM82223-010RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED. :1 VSWR CAPABILITY AT RATEDCONDITIONS.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2NLFL (S042).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM82223-010 82223-10

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC3326B | IR645 | NJVMJB44H11T4G | 2SD2031 | C1-12

 

 
Back to Top

 


 
.