AM82223-010 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM82223-010 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 9 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: SO42
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AM82223-010 datasheet
am82223.pdf
AM82223-010 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED . 1 VSWR CAPABILITY AT RATED CONDITIONS .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2NLFL (S042) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM82223-010 82223-10
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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