AM82223-010 Todos los transistores

 

AM82223-010 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM82223-010
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SO42

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AM82223-010 Datasheet (PDF)

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AM82223-010

AM82223-010 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED . 1 VSWR CAPABILITY AT RATED CONDITIONS .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2NLFL (S042) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM82223-010 82223-10

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History: DDTA114YLP | BDT62CF | 2SD23 | 2SC2905 | GCN53 | KD606 | K2122B

 

 
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