Справочник транзисторов. AM82223-010

 

Биполярный транзистор AM82223-010 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AM82223-010
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SO42
 

 Аналог (замена) для AM82223-010

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM82223-010 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:59K  st
 am82223.pdf pdf_icon

AM82223-010

AM82223-010RF & MICROWAVE TRANSISTORSTELEMETRY APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED. :1 VSWR CAPABILITY AT RATEDCONDITIONS.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2NLFL (S042).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM82223-010 82223-10

Другие транзисторы... AM81214-006 , AM81214-015 , AM81214-030 , AM81214-060 , AM81416-020 , AM81719-030 , AM81719-040 , AM81720-012 , 2SB817 , AM82325-040 , AM82325-050 , AM82731-003 , AM82731-006 , AM82731-012 , AM82731-025 , AM82731-050 , AM83135-001 .

 

 
Back to Top

 


 
.