AM82223-010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM82223-010  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SO42

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM82223-010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM82223-010 даташит

 7.1. Size:59K  st
 am82223.pdf pdf_icon

AM82223-010

AM82223-010 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TELEMETRY APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED . 1 VSWR CAPABILITY AT RATED CONDITIONS .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2NLFL (S042) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 9 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM82223-010 82223-10

Другие транзисторы: AM81214-006, AM81214-015, AM81214-030, AM81214-060, AM81416-020, AM81719-030, AM81719-040, AM81720-012, S9013, AM82325-040, AM82325-050, AM82731-003, AM82731-006, AM82731-012, AM82731-025, AM82731-050, AM83135-001