BD501B Todos los transistores

 

BD501B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD501B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 85 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD501B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
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BD501B

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 50V(Min)CEO(SUS)80V(Min)High Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
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BD501B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VA

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History: SD1272 | BD649F

 

 
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