BD501B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD501B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 85 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220

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BD501B datasheet

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BD501B

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 50V(Min) CEO(SUS) 80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
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BD501B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VA

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