BD501B - описание и поиск аналогов

 

BD501B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD501B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD501B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD501B - технические параметры

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 bd501 bd501b.pdf pdf_icon

BD501B

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 50V(Min) CEO(SUS) 80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
 bd501 b.pdf pdf_icon

BD501B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VA

Другие транзисторы... BD477B , BD487 , BD488 , BD500 , BD500A , BD500B , BD501 , BD501A , A1941 , BD505 , BD505-1 , BD505-5 , BD506 , BD506-1 , BD506-5 , BD507 , BD507-1 .

 

 
Back to Top

 


 
.