BD501B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD501B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD501B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD501B даташит

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 bd501 bd501b.pdf pdf_icon

BD501B

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 50V(Min) CEO(SUS) 80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
 bd501 b.pdf pdf_icon

BD501B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VA

Другие транзисторы: BD477B, BD487, BD488, BD500, BD500A, BD500B, BD501, BD501A, A1941, BD505, BD505-1, BD505-5, BD506, BD506-1, BD506-5, BD507, BD507-1