BD550B Todos los transistores

 

BD550B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD550B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 275 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BD550B

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BD550B PDF detailed specifications

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd550b.pdf pdf_icon

BD550B

isc Silicon NPN Power Transistors BD550B DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM... See More ⇒

 9.1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf pdf_icon

BD550B

isc Silicon NPN Power Transistors BD550 DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME... See More ⇒

Otros transistores... BD545D , BD546 , BD546A , BD546B , BD546C , BD546D , BD550 , BD550A , 2SA1837 , BD561 , BD562 , BD566 , BD566A , BD567 , BD567A , BD575 , BD576 .

 

 
Back to Top

 


 
.