BD550B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD550B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 275 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD550B
BD550B Datasheet (PDF)
bd550b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BD550BDESCRIPTION High Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as either driver or output unit applicationsin audio amplifier circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
bd550.pdf
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History: TIP30B | TI903
Liste
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