BD550B - описание и поиск аналогов

 

BD550B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD550B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD550B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD550B - технические параметры

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd550b.pdf pdf_icon

BD550B

isc Silicon NPN Power Transistors BD550B DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 9.1. Size:183K  inchange semiconductor
 bd550.pdf pdf_icon

BD550B

isc Silicon NPN Power Transistors BD550 DESCRIPTION High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

Другие транзисторы... BD545D , BD546 , BD546A , BD546B , BD546C , BD546D , BD550 , BD550A , 2SA1837 , BD561 , BD562 , BD566 , BD566A , BD567 , BD567A , BD575 , BD576 .

 

 
Back to Top

 


 
.