BD582 Todos los transistores

 

BD582 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD582
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD582 PDF detailed specifications

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BD582

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD582 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD581 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL... See More ⇒

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