BD582 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD582
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220
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BD582 Datasheet (PDF)
bd582.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors BD582DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOComplement to Type BD581Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Otros transistores... BD567A , BD575 , BD576 , BD577 , BD578 , BD579 , BD580 , BD581 , TIP127 , BD585 , BD586 , BD587 , BD588 , BD589 , BD590 , BD591 , BD592 .
History: UMF21N
History: UMF21N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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