BD582 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD582  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220

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BD582 datasheet

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BD582

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD582 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD581 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

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