BD582 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD582  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD582

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD582 даташит

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
 bd582.pdf pdf_icon

BD582

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD582 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD581 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие транзисторы: BD567A, BD575, BD576, BD577, BD578, BD579, BD580, BD581, TIP42, BD585, BD586, BD587, BD588, BD589, BD590, BD591, BD592