BD582 - описание и поиск аналогов

 

BD582 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD582
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD582

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD582 - технические параметры

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
 bd582.pdf pdf_icon

BD582

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BD582 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD581 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие транзисторы... BD567A , BD575 , BD576 , BD577 , BD578 , BD579 , BD580 , BD581 , TIP42 , BD585 , BD586 , BD587 , BD588 , BD589 , BD590 , BD591 , BD592 .

History: MJE5852 | MJE5976

 

 
Back to Top

 


 
.