BD635 Todos los transistores

 

BD635 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD635
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 186 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD635 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
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BD635

isc Silicon NPN Power Transistor BD635DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD636Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

Otros transistores... BD615 , BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , MPSA42 , BD636 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 .

History: SBCP56-16T3G | 2SC5880 | BUX84 | BDW73D | BC640-10 | MMBTA56W | SHA7534

 

 
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