BD635 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD635
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 186 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO220
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BD635 Datasheet (PDF)
bd635.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BD635DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD636Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
Otros transistores... BD615 , BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , MPSA42 , BD636 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 .
History: SBCP56-16T3G | 2SC5880 | BUX84 | BDW73D | BC640-10 | MMBTA56W | SHA7534
History: SBCP56-16T3G | 2SC5880 | BUX84 | BDW73D | BC640-10 | MMBTA56W | SHA7534



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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