BD635 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD635  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 186 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD635

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD635 даташит

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
 bd635.pdf pdf_icon

BD635

isc Silicon NPN Power Transistor BD635 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 25mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD636 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

Другие транзисторы: BD615, BD616, BD617, BD618, BD619, BD620, BD633, BD634, TIP120, BD636, BD637, BD638, BD643, BD643F, BD644, BD644F, BD645