Справочник транзисторов. BD635

 

Биполярный транзистор BD635 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD635
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 186 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD635

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD635 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
 bd635.pdf pdf_icon

BD635

isc Silicon NPN Power Transistor BD635DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD636Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

Другие транзисторы... BD615 , BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , MPSA42 , BD636 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 .

History: MA240 | 2T3109C | MMBT5551

 

 
Back to Top

 


 
.