BD637 Todos los transistores

 

BD637 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD637
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220

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BD637 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
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BD637

isc Silicon NPN Power Transistor BD637 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 25mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

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History: BD620

 

 
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