BD637 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD637
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD637
BD637 Datasheet (PDF)
bd637.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD637DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: MSD601-RT1G
History: MSD601-RT1G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050