BD637 Todos los transistores

 

BD637 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD637
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de BD637

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BD637 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
 bd637.pdf pdf_icon

BD637

isc Silicon NPN Power Transistor BD637DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

Otros transistores... BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , BD635 , BD636 , 2N2907 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 , BD645F , BD646 .

 

 
Back to Top

 


 
.