Справочник транзисторов. BD637

 

Биполярный транзистор BD637 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD637
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD637

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD637 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
 bd637.pdf pdf_icon

BD637

isc Silicon NPN Power Transistor BD637DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

Другие транзисторы... BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , BD635 , BD636 , 2N2907 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 , BD645F , BD646 .

History: 2SC4497 | MA204 | 2N5983 | BD746B | RN1110FS | CHUMF23GP

 

 
Back to Top

 


 
.