BD638 Todos los transistores

 

BD638 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD638
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 185 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  inchange semiconductor
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BD638

isc Silicon PNP Power Transistor BD638DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD637Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BU415 | 2SD1452 | CPH6021 | HSE420 | MT3S03AU | CN8550C | 40347S

 

 
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