Справочник транзисторов. BD638

 

Биполярный транзистор BD638 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD638
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  inchange semiconductor
bd638.pdfpdf_icon

BD638

isc Silicon PNP Power Transistor BD638DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD637Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: CDQ10002 | KSR2202 | BFY50I | EMD12 | 2SD1539 | MQ2894R | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.