BD829 Todos los transistores

 

BD829 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD829
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD829 datasheet

 ..1. Size:51K  philips
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BD829

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD825; BD829 NPN power transistors Product specification 1998 May 29 Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistors BD825; BD829 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 ... See More ⇒

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
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BD829

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD829 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits. ... See More ⇒

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History: 2SA1319U | 3DD13003H3D

 

 
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