BD829 Todos los transistores

 

BD829 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD829
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD829 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD829

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd829.pdf pdf_icon

BD829

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD829DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD828Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Otros transistores... BD827B , BD828 , BD828-10 , BD828-16 , BD828-25 , BD828-6 , BD828A , BD828B , 2SC1740 , BD829-10 , BD829-16 , BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , BD830 , BD830-10 .

History: KT315V1 | 2SC3751 | MJF6668G

 

 
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