BD829 - описание и поиск аналогов

 

BD829 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD829
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD829

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD829 - технические параметры

 ..1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD829

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD825; BD829 NPN power transistors Product specification 1998 May 29 Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistors BD825; BD829 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd829.pdf pdf_icon

BD829

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD829 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы... BD827B , BD828 , BD828-10 , BD828-16 , BD828-25 , BD828-6 , BD828A , BD828B , TIP32C , BD829-10 , BD829-16 , BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , BD830 , BD830-10 .

History: 3DD13003H3D

 

 
Back to Top

 


 
.