BDX35 Todos los transistores

 

BDX35 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX35
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BDX35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 bdx35 bdx36 bdx37 cnv 2.pdf pdf_icon

BDX35

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BDX35; BDX36; BDX37NPN switching transistors1997 Apr 16Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistors BDX35; BDX36; BDX37FEATURES PINNING High current (max. 5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
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BDX35

isc Silicon NPN Power Transistor BDX35DESCRIPTION Current Capability-I = 5A(DC)HighCDC Current Gain: h = 45-450(Min) @ I = 0.5 AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh-current switching in power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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