BDX35 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDX35 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO126

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BDX35 datasheet

..1. Size:53K philips
bdx35 bdx36 bdx37 cnv 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BDX35; BDX36; BDX37 NPN switching transistors 1997 Apr 16 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BDX35; BDX36; BDX37 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (

..2. Size:211K inchange semiconductor
bdx35.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor BDX35 DESCRIPTION Current Capability-I = 5A(DC) High C DC Current Gain h = 45-450(Min) @ I = 0.5 A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High-current switching in power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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BDX35 Datasheet. Equivalente