Биполярный транзистор BDX35 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX35
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO126
BDX35 Datasheet (PDF)
bdx35 bdx36 bdx37 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BDX35; BDX36; BDX37NPN switching transistors1997 Apr 16Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistors BDX35; BDX36; BDX37FEATURES PINNING High current (max. 5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (
bdx35.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX35DESCRIPTION Current Capability-I = 5A(DC)HighCDC Current Gain: h = 45-450(Min) @ I = 0.5 AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh-current switching in power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDX53H | BDX53D
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050