BDX35 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BDX35 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BDX35
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BDX35

 

BDX35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 bdx35 bdx36 bdx37 cnv 2.pdf pdf_icon

BDX35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BDX35; BDX36; BDX37 NPN switching transistors 1997 Apr 16 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BDX35; BDX36; BDX37 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bdx35.pdf pdf_icon

BDX35

isc Silicon NPN Power Transistor BDX35 DESCRIPTION Current Capability-I = 5A(DC) High C DC Current Gain h = 45-450(Min) @ I = 0.5 A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High-current switching in power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... BDX33D , BDX33E , BDX34 , BDX34A , BDX34B , BDX34C , BDX34D , BDX34E , 8550 , BDX36 , BDX37 , BDX40 , BDX40-4 , BDX40-5 , BDX40-6 , BDX40-7 , BDX41 .

 

 
Back to Top

 


 
.