BDX60-4 Todos los transistores

 

BDX60-4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX60-4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX60-4 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
 bdx60.pdf pdf_icon

BDX60-4

isc Silicon NPN Power Transistor BDX60DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V (Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM

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