BDX60-4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDX60-4  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BDX60-4 datasheet

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BDX60-4

isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM

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