BDX60-4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BDX60-4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BDX60-4 Datasheet (PDF)
bdx60.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM
Другие транзисторы... BDX54E , BDX54F , BDX54H , BDX54S , BDX55 , BDX56 , BDX57 , BDX60 , 2N5401 , BDX60-5 , BDX60-6 , BDX60-7 , BDX61 , BDX61-4 , BDX61-5 , BDX61-6 , BDX61-7 .
History: 2SD1952 | UMG11N | NB212ZJ | CHIMH2GP | PXTA14 | 2SB789A | 2SC4563
History: 2SD1952 | UMG11N | NB212ZJ | CHIMH2GP | PXTA14 | 2SB789A | 2SC4563
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet

