BDX60-4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX60-4  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX60-4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX60-4 даташит

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
 bdx60.pdf pdf_icon

BDX60-4

isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: BDX54E, BDX54F, BDX54H, BDX54S, BDX55, BDX56, BDX57, BDX60, 2N5401, BDX60-5, BDX60-6, BDX60-7, BDX61, BDX61-4, BDX61-5, BDX61-6, BDX61-7