BF583 Todos los transistores

 

BF583 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF583
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90Mz MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BF583 datasheet

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BF583

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF583; BF585; BF587 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587 FEATURES Low feedback capacitance. handbook, halfpage APPLICATIONS For use in v... See More ⇒

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History: BF689K

 

 
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