BF583 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF583  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90Mz MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO202

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BF583 datasheet

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BF583

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF583; BF585; BF587 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587 FEATURES Low feedback capacitance. handbook, halfpage APPLICATIONS For use in v

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