BF583 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF583  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90Mz MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF583

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF583 даташит

 ..1. Size:63K  philips
 bf583 bf585 bf587.pdf pdf_icon

BF583

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF583; BF585; BF587 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587 FEATURES Low feedback capacitance. handbook, halfpage APPLICATIONS For use in v

Другие транзисторы: BF560, BF562, BF568, BF569, BF569R, BF570, BF579, BF579R, A733, BF585, BF587, BF591, BF593, BF594, BF595, BF595S, BF596