Справочник транзисторов. BF583

 

Биполярный транзистор BF583 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF583
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90Mz MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BF583 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  philips
 bf583 bf585 bf587.pdf pdf_icon

BF583

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF583; BF585; BF587NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587FEATURES Low feedback capacitance.handbook, halfpageAPPLICATIONS For use in v

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: NB121FJ | GES3499

 

 
Back to Top

 


 
.