BF583 - описание и поиск аналогов

 

BF583 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF583
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90Mz MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BF583

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF583 - технические параметры

 ..1. Size:63K  philips
 bf583 bf585 bf587.pdf pdf_icon

BF583

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF583; BF585; BF587 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF583; BF585; BF587 FEATURES Low feedback capacitance. handbook, halfpage APPLICATIONS For use in v

Другие транзисторы... BF560 , BF562 , BF568 , BF569 , BF569R , BF570 , BF579 , BF579R , A733 , BF585 , BF587 , BF591 , BF593 , BF594 , BF595 , BF595S , BF596 .

 

 
Back to Top

 


 
.