BF660 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF660  📄📄 

Código: G8_LE_LEp_LEs

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.11 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT23

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BF660 datasheet

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BF660

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 30 V Collector-base voltage VCB0 40 Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 25 mA Emitter current IE 30 Total power dissi

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BF660

BF 660W PNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 30 V Collector-base voltage VCBO 40 Emitter-base voltage VEBO 4 Collector current IC 25 mA Base current IB 5 Total power dissipation Pt

Otros transistores... BF643, BF643P, BF643P2, BF643W, BF643W3, BF657, BF658, BF659, 431, BF660R, BF660W, BF666, BF667, BF668, BF679, BF679M, BF679S