BF660 Todos los transistores

 

BF660 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF660
   Código: G8_LE_LEp_LEs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.11 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

BF660 Datasheet (PDF)

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BF660

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 30 VCollector-base voltage VCB0 40Emitter-base voltage VEB0 4Collector current IC 25 mAEmitter current IE 30Total power dissi

 0.1. Size:59K  siemens
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BF660

BF 660WPNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 30 VCollector-base voltage VCBO 40Emitter-base voltage VEBO 4Collector current IC 25 mABase current IB 5Total power dissipation Pt

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA288 | STN3906 | 2SD1906S | 2N363 | FXT553SM | AC404 | ST4044

 

 
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