BF660 Todos los transistores

 

BF660 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF660
   Código: G8_LE_LEp_LEs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.11 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de BF660

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BF660 datasheet

 ..1. Size:39K  siemens
 bf660.pdf pdf_icon

BF660

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 30 V Collector-base voltage VCB0 40 Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 25 mA Emitter current IE 30 Total power dissi... See More ⇒

 0.1. Size:59K  siemens
 bf660w.pdf pdf_icon

BF660

BF 660W PNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 30 V Collector-base voltage VCBO 40 Emitter-base voltage VEBO 4 Collector current IC 25 mA Base current IB 5 Total power dissipation Pt... See More ⇒

Otros transistores... BF643 , BF643P , BF643P2 , BF643W , BF643W3 , BF657 , BF658 , BF659 , 431 , BF660R , BF660W , BF666 , BF667 , BF668 , BF679 , BF679M , BF679S .

History: BF660W

 

 
Back to Top

 


 
.