Справочник транзисторов. BF660

 

Биполярный транзистор BF660 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF660
   Маркировка: G8_LE_LEp_LEs
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BF660

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  siemens
 bf660.pdf pdf_icon

BF660

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 30 VCollector-base voltage VCB0 40Emitter-base voltage VEB0 4Collector current IC 25 mAEmitter current IE 30Total power dissi

 0.1. Size:59K  siemens
 bf660w.pdf pdf_icon

BF660

BF 660WPNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 30 VCollector-base voltage VCBO 40Emitter-base voltage VEBO 4Collector current IC 25 mABase current IB 5Total power dissipation Pt

Другие транзисторы... BF643 , BF643P , BF643P2 , BF643W , BF643W3 , BF657 , BF658 , BF659 , TIP32C , BF660R , BF660W , BF666 , BF667 , BF668 , BF679 , BF679M , BF679S .

 

 
Back to Top

 


 
.