BF660W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF660W  📄📄 

Código: LE_LEs

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.11 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

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BF660W datasheet

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BF660W

BF 660W PNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 30 V Collector-base voltage VCBO 40 Emitter-base voltage VEBO 4 Collector current IC 25 mA Base current IB 5 Total power dissipation Pt

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BF660W

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 30 V Collector-base voltage VCB0 40 Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 25 mA Emitter current IE 30 Total power dissi

Otros transistores... BF643P2, BF643W, BF643W3, BF657, BF658, BF659, BF660, BF660R, TIP32C, BF666, BF667, BF668, BF679, BF679M, BF679S, BF679T, BF680