BF660W Todos los transistores

 

BF660W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF660W
   Código: LE_LEs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.11 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BF660W Datasheet (PDF)

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BF660W

BF 660WPNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 30 VCollector-base voltage VCBO 40Emitter-base voltage VEBO 4Collector current IC 25 mABase current IB 5Total power dissipation Pt

 9.1. Size:39K  siemens
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BF660W

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 30 VCollector-base voltage VCB0 40Emitter-base voltage VEB0 4Collector current IC 25 mAEmitter current IE 30Total power dissi

Otros transistores... BF643P2 , BF643W , BF643W3 , BF657 , BF658 , BF659 , BF660 , BF660R , 2SC1740 , BF666 , BF667 , BF668 , BF679 , BF679M , BF679S , BF679T , BF680 .

History: T2088 | CHEMA6GP | ECG346 | 2SC291

 

 
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