BF660W - описание и поиск аналогов

 

BF660W - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF660W
   Маркировка: LE_LEs
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BF660W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF660W - технические параметры

 ..1. Size:59K  siemens
 bf660w.pdf pdf_icon

BF660W

BF 660W PNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 30 V Collector-base voltage VCBO 40 Emitter-base voltage VEBO 4 Collector current IC 25 mA Base current IB 5 Total power dissipation Pt

 9.1. Size:39K  siemens
 bf660.pdf pdf_icon

BF660W

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 30 V Collector-base voltage VCB0 40 Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 25 mA Emitter current IE 30 Total power dissi

Другие транзисторы... BF643P2 , BF643W , BF643W3 , BF657 , BF658 , BF659 , BF660 , BF660R , TIP32C , BF666 , BF667 , BF668 , BF679 , BF679M , BF679S , BF679T , BF680 .

History: BF679S

 

 
Back to Top

 


 
.