BF660W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF660W  📄📄 

Маркировка: LE_LEs

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF660W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF660W даташит

 ..1. Size:59K  siemens
 bf660w.pdf pdf_icon

BF660W

BF 660W PNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 30 V Collector-base voltage VCBO 40 Emitter-base voltage VEBO 4 Collector current IC 25 mA Base current IB 5 Total power dissipation Pt

 9.1. Size:39K  siemens
 bf660.pdf pdf_icon

BF660W

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applications Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 30 V Collector-base voltage VCB0 40 Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 25 mA Emitter current IE 30 Total power dissi

Другие транзисторы: BF643P2, BF643W, BF643W3, BF657, BF658, BF659, BF660, BF660R, TIP32C, BF666, BF667, BF668, BF679, BF679M, BF679S, BF679T, BF680