Биполярный транзистор BF660W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF660W
Маркировка: LE_LEs
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
BF660W Datasheet (PDF)
bf660w.pdf
BF 660WPNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 30 VCollector-base voltage VCBO 40Emitter-base voltage VEBO 4Collector current IC 25 mABase current IB 5Total power dissipation Pt
bf660.pdf
PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 30 VCollector-base voltage VCB0 40Emitter-base voltage VEB0 4Collector current IC 25 mAEmitter current IE 30Total power dissi
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050