BF747 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF747
   Código: E15
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BF747

BF747 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF747NPN 1 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 1 GHz wideband transistor BF747FEATURES DESCRIPTION Stable oscillator operation Low cost NPN transistor in a plastic SOT23 package. High current gain Good thermal stability.

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