BF747 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF747  📄📄 

Código: E15

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO92

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BF747 datasheet

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BF747

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF747 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BF747 FEATURES DESCRIPTION Stable oscillator operation Low cost NPN transistor in a plastic SOT23 package. High current gain Good thermal stability.

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BF747

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF747 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BF747 FEATURES DESCRIPTION Stable oscillator operation Low cost NPN transistor in a plastic SOT23 package. High current gain Good thermal stability.

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