BF747 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF747  📄📄 

Маркировка: E15

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF747

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF747 даташит

 ..1. Size:75K  philips
 bf747 2.pdf pdf_icon

BF747

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF747 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BF747 FEATURES DESCRIPTION Stable oscillator operation Low cost NPN transistor in a plastic SOT23 package. High current gain Good thermal stability.

 ..2. Size:108K  philips
 bf747.pdf pdf_icon

BF747

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF747 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BF747 FEATURES DESCRIPTION Stable oscillator operation Low cost NPN transistor in a plastic SOT23 package. High current gain Good thermal stability.

Другие транзисторы: BF722, BF722T1, BF722T3, BF723, BF723T1, BF723T3, BF739, BF740, A940, BF757, BF757BA, BF757EA, BF758, BF758BA, BF758EA, BF759, BF759BA