BF819 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF819
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: TO202
- Selección de transistores por parámetros
BF819 Datasheet (PDF)
bf819.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D067BF819NPN high-voltage transistor1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BF819FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V).1 emitter2 collector, co
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: SGSF321 | 3DG12 | RCA9228C | 2SC3013 | BC487 | D32W9
History: SGSF321 | 3DG12 | RCA9228C | 2SC3013 | BC487 | D32W9



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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