BF819 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF819 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 45
Encapsulados: TO202
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BF819 datasheet
bf819.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF819 NPN high-voltage transistor 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF819 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 collector, co
Otros transistores... BF780, BF787, BF788, BF789, BF790, BF791, BF792, BF799, BC549, BF819A, BF820, BF820S, BF821, BF821S, BF822, BF822S, BF823
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SD348 | UN521F | KRC827U | STS05DTP03 | PMP4501QAS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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