BF819 Todos los transistores

 

BF819 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF819
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO202

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BF819 Datasheet (PDF)

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BF819

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF819 NPN high-voltage transistor 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF819 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 collector, co

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History: BDX40-7

 

 
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