BF819 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF819  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF819

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF819 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 bf819.pdf pdf_icon

BF819

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF819 NPN high-voltage transistor 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF819 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 collector, co

Другие транзисторы: BF780, BF787, BF788, BF789, BF790, BF791, BF792, BF799, BC549, BF819A, BF820, BF820S, BF821, BF821S, BF822, BF822S, BF823