BFX30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFX30  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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BFX30 datasheet

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BFX30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX30 PNP switching transistor 1997 Apr 16 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP switching transistor BFX30 FEATURES PINNING High current (max.600 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS

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BFX30

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX30 TO-39 Metal Can Package INTENDED FOR SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 65 V VCBO Collector Base Voltage 65 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V

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