BFX30 Todos los transistores

 

BFX30 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFX30
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5

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BFX30 Datasheet (PDF)

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BFX30 BFX30

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFX30PNP switching transistor1997 Apr 16Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor BFX30FEATURES PINNING High current (max.600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS

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BFX30 BFX30

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX30TO-39Metal Can PackageINTENDED FOR SWITCHING APPLICATIONS.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 65 VVCBOCollector Base Voltage 65 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0 V

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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