BFX30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX30  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX30 даташит

 ..1. Size:56K  philips
 bfx30 cnv 2.pdf pdf_icon

BFX30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX30 PNP switching transistor 1997 Apr 16 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP switching transistor BFX30 FEATURES PINNING High current (max.600 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS

 ..2. Size:132K  cdil
 bfx30.pdf pdf_icon

BFX30

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX30 TO-39 Metal Can Package INTENDED FOR SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 65 V VCBO Collector Base Voltage 65 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V

Другие транзисторы: BFX16, BFX17, BFX17A, BFX18, BFX19, BFX20, BFX21, BFX29, D209L, BFX31, BFX32, BFX33, BFX34, BFX34SM, BFX34T, BFX35, BFX36