BFX85 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFX85  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO5

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BFX85 datasheet

 ..1. Size:56K  philips
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BFX85

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX85 NPN switching transistor 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of Sepember 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BFX85 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3

 ..2. Size:134K  cdil
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BFX85

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VCBO Collector Base Voltage 100 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector C

Otros transistores... BFX77, BFX79, BFX80, BFX80DCSM, BFX81, BFX81DCSM, BFX81DCSMM, BFX84, MJE340, BFX86, BFX87, BFX88, BFX89, BFX90, BFX91, BFX92, BFX92A