BFX85 Todos los transistores

 

BFX85 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFX85
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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BFX85 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  philips
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BFX85

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFX85NPN switching transistor1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of Sepember 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BFX85FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3

 ..2. Size:134K  cdil
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BFX85

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85TO-39Metal Can PackageAMPLIFIER TRANSISTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVCBOCollector Base Voltage 100 VVEBOEmitter Base Voltage 6.0 VICCollector C

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