BFX85 Todos los transistores

 

BFX85 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFX85
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO5

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BFX85 Datasheet (PDF)

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BFX85

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX85 NPN switching transistor 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of Sepember 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BFX85 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3

 ..2. Size:134K  cdil
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BFX85

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VCBO Collector Base Voltage 100 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector C

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History: MJE180G | BFS91

 

 
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