Биполярный транзистор BFX85 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFX85
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO5
BFX85 Datasheet (PDF)
bfx85 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFX85NPN switching transistor1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of Sepember 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BFX85FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3
bfx85.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85TO-39Metal Can PackageAMPLIFIER TRANSISTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVCBOCollector Base Voltage 100 VVEBOEmitter Base Voltage 6.0 VICCollector C
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050