BFX85 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BFX85
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO5
BFX85 Datasheet (PDF)
bfx85 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX85 NPN switching transistor 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of Sepember 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BFX85 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3
bfx85.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VCBO Collector Base Voltage 100 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector C
Другие транзисторы... BFX77 , BFX79 , BFX80 , BFX80DCSM , BFX81 , BFX81DCSM , BFX81DCSMM , BFX84 , MJE340 , BFX86 , BFX87 , BFX88 , BFX89 , BFX90 , BFX91 , BFX92 , BFX92A .
History: TA1939
History: TA1939
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360



