BFX85 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX85  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX85

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX85 даташит

 ..1. Size:56K  philips
 bfx85 cnv 2.pdf pdf_icon

BFX85

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFX85 NPN switching transistor 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of Sepember 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BFX85 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3

 ..2. Size:134K  cdil
 bfx85.pdf pdf_icon

BFX85

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 60 V VCBO Collector Base Voltage 100 V VEBO Emitter Base Voltage 6.0 V IC Collector C

Другие транзисторы: BFX77, BFX79, BFX80, BFX80DCSM, BFX81, BFX81DCSM, BFX81DCSMM, BFX84, MJE340, BFX86, BFX87, BFX88, BFX89, BFX90, BFX91, BFX92, BFX92A