Справочник транзисторов. BFX85

 

Биполярный транзистор BFX85 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFX85
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFX85 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  philips
 bfx85 cnv 2.pdf pdf_icon

BFX85

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BFX85NPN switching transistor1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of Sepember 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BFX85FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3

 ..2. Size:134K  cdil
 bfx85.pdf pdf_icon

BFX85

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BFX85TO-39Metal Can PackageAMPLIFIER TRANSISTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 60 VVCBOCollector Base Voltage 100 VVEBOEmitter Base Voltage 6.0 VICCollector C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA108S | SEMZ8

 

 
Back to Top

 


 
.