2N3117 Todos los transistores

 

2N3117 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3117
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2N3117 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:354K  rca
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 9.2. Size:418K  rca
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 9.3. Size:144K  semelab
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.4. Size:143K  microelectronics
 2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdf pdf_icon

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History: LMUN2211LT1G

 

 
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